2022   03   az   p.03-06 E.A. Kerimov,
Production technology of a-Si:H films and modification of their structure		  pdf 

ABSTRACT

The properties of microcrystalline silicon with μс-Si:H are highly dependent on the methods of production and technological parameters of deposition. Compared to amorphous silicon microcrystalline silicon has high conductivity, greater carrier mobility and higher absorption coefficient in the infrared region of the spectrum. Another advantage of μс-Si:H in comparison with a-Si:H is the stability of parameters of this material under external influences, such as illumination. At the same time μс-Si:H can be obtained practically on the same technological equipment as amorphous silicon.

Keywords: silicon, nanocrystal, nanoscale, size effect, amorphous, nanolayer, nanoscale, photostability.
PACS: 73.40.Ns, 73.40.Sx, 72.10.-d

DOI:-

Received: 19.04.2022

AUTHORS & AFFILIATIONS

Azerbaijan Technical University, 35 H. Javid ave., Baku, AZ 1073, Azerbaijan
E-mail: E_Kerimov.fizik@mail.ru 		REFERENCIES

[1]   В.П. Драгунов, И.Т. Неизвестный, В.А. Гридчин. Основы наноэлектроники. M, 2006.
[2]   Г.Г. Шишкин. Приборы квантовой электроники. М.: СайнсПресс, 2004.
[3]   В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, О.И. Коньков и др. Структура и свойства пленок а-Si:H, полученных методом циклического осаждения // Тонкие пленки в электронике: Материалы Х Международного симпозиума. Ч. 1. Ярославль, 1999. С. 150-156.
[4]   В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, В.Н. Неведомский и др. Влияние термообработки на структуру ФТП. 2002. Т. 36, вып. 2. С. 238–243.
[5]   В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, А.З. Казак-Казакевич, А.П. Сазанов. Исследование влияния термообработки на размеры и объемную долю nc-Si:H в аморфных пленках a-Si:H методом просвечивающей электронной микроскопии. Алмазные пленки и пленки родственных материалов: Сб. докладов 5-го Международного симпозиума «Алмазные пленки и пленки родственных материалов», Харьковская научная ассамблея, 22-27 апреля 2002 г., Харьков, Украина. Харьков: ННЦ ХФТИ, ИПЦ «Контраст», 2002. С. 266-269.