2023   03   en   p.39-42 G.I. Isakov, A.A. Ismayilov*, A.A. Ismayilov,
Effect γ- radiation on the electrical properties of In0.999Ag0.001Se single crystals		  pdf 

ABSTRACT

It was determined that when In0.999Ag0.001Se crystals are irradiated with 50 krad dose g-quanta, centers with a depth of 0.17 eV are formed in the forbidden band. Before irradiation, in the prohibited band there are uncontrollable centers with the location depth Ev + 0.1 eV. Centers resulting from irradiation compensate for uncontrolled Ev +0.1eV centers. With this, the concentration of charge carriers and electrical conductivity decreases. As the radiation dose increases, new centers are not formed, the concentration of previous centers increases. The difference between the electrical conductivity of unirradiated and radiated crystals also increases with decreasing temperature.

Keywords: γ-quanta , irradiated crystals, perfect crystals, industrial electronics, chalcogenides, perfection of crystals due to radiation.
PACS: Nr. 71.20Semiconductor compounds; 72.20.Fr Shipping and handling in low areas.

DOI:-

Received: 15.09.2023

AUTHORS & AFFILIATIONS

Ministry of Science and Education of Azerbaijan Institute of Physics named after academician H.B. Abdullayev, 131 H. Javid Ave. Baku-1143,
*Azerbaijan Technical University, 25 H. Javid avenue, Baku-1073
E-mail: gudart.isakov@gmail.com

Graphics and Images

    

Fig.1-2-3

 REFERENCIES

[1]   A. Segura, J.P. Geusdon, J.M. Besson, A. Chevy. Fotovoltaic effect in InSe. Application to solar energy conversion. “Rev. Phys. appl.” 1979, t.14, ¹1, p.253.
[2]   A. Segura, J.P. Geusdon, J.M. Besson, A. Chevy. Photoconductivity and fotovoltaic effect in in indium selenide. J. Appl. Phys. 1983, t.54, ¹2, p.876
[3]   А.Г. Кязымзаде, А.А. Агаев, В.М. Салманов. Детекторы оптического излучения на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe. ЖТФ, 2007, t.77, с.80-85.
[4]   K.X. Нагиев, B.M. Салманов. Оптические модуляторы на основе кристаллов GaSe и InSe. Республиканская научная конференция «Актуальные проблемы физики», посвященная 90-летию БГУ. Баку, 16 мая 2009, с.18.
[5]   Г.Д. Гусейнов, Г.И. Искендеров, Е.М. Керимова. Взаимодействие мягкого рентгеновского излучения с монокристаллами InSe. Препринт № 3, ИФАН, Баку, 1991, 20 с.
[6]   С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмаилов Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристалле InSe и InSe<Sn>//Физика Низких Температур, 2010, т.36, №4, с.394-397.
[7]   С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмаилов. Влияние g-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>//Физика Низких Температур 2010, т.36, №7, с.805-808.
[8]   А.А. Исмаилов, Ш.Г. Гасымов, Т.С. Мамедов, К.Р. Аллахвердиев. Влияние давления на электропроводность и эффект холла селенида индия. ФТП, 1992, т.26, в.11, с.1994-1996.
[9]   A.A. Ismailov, N.Z. Gasanov, A.A. Ismailov, Z.M. Nasrullaeva. Influence of γ-irradiation on the Elektrophysical Properties of In1-xSmxSe Single Crystals. American Journal of sosial and Humanitar Research. Global Rearch, Network, vol.3issue, 5-in may 2022, p.120-122.
[10]  A.Ə. İsmayılov, Q.İ. İsaqov, Ə .Ə. İsmayılov. InSe laylı kristallarında yaranan defektlər. Akademik L.M. İmanovun 100 illiyinə həsr olunmuş beynəlxalq konfrans 7 oktyabr 2022,s.141-143.
[11]  E.M. Kerimova, N.Z. Gasanov, A.A. Ismailov. Electrical and photoelectric properties of solid solutions In1-xErxSe. GESJ, Physics, 2019, N1(21), p.53-59.
[12]  В.С. Вавилов, Н.П. Кокелидзе, Л.С.Смирнов. Действие излучений на полупроводники. М., Наука,1988, 191c.
[13]  Г.И. Исаков, А.А. Исмаилов, П.Г. Исмаилова, А.А. Исмаилов, С.С. Абдинбеков, Х.Ш. Велибеков, Т.Я. Оруджев. Электрические свойства монокристаллов In0.99Sm0.01Se и In0.99Er0.01Se для солнечных элементов. Международный журнал, Альтернативная энергетика и экологии, 2022, № 6, c.36-43, Саров.
[14]  Конфигурационная модель вещества, под ред. Г.Б. Самсонова, И.Ф. Прядко, Л.Ф. Прядко (Киев, Наук. думка, 1975).
[15]  В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин. Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d–и f-металлах и их соединениях (М., Наука, 2011).