ABSTRACT
Attached to the work revealed, layered periodic structures of uniaxial AgInSe2 single crystals after technological processes. The mechanism of action on the photovoltaic
effect, structural surface defects are determined. The volt-ampere characteristics of these objects were measured in the microvolt range.
Keywords: Chalcopyrite compounds, periodic structures, uniaxial crystal.
PACS: 61.80.Ed.
DOI:-
Received:
AUTHORS & AFFILIATIONS
Institute of Physics named after H.M.Abdullayev of the Ministry of Science and Education Republic of Azerbaijan, 131. H.Javid ave. Baku, AZ-1143, Azerbaijan
E-mail: gasımoğlu@yahoo.com
Graphics and Images
Fig.1-2-3 Fig.4-5-6-7 Fig.8-9-10-11 Fig.-12-13-14
|
REFERENCIES
[1] Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К.Кашкаров. Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем. УФН, 2007, т.177, № 6, ст. 619-638.
[2] İ. Qasımoğlu. ϒ-şüasının təsirindən sonra CuGaSe2 monokristalında mənfi fotovoltaik effektin yaranması. Fizika volume XIX, № 1, section: Az. s.19-21, 2013.
[3] Ф.Г. Басс, А.А. Булгаков, А.П. Тетервов. Высокочастотные свойство полупроводников со сверхрешетками. М.1989 ст. 286.
[4] Р. Фуйнман, Р. Лейтон, М. Сэндс. Фейнмановский лекции по физике. М.1978, ст.523.
[5] А.И. Губанов и Ф.М. Гашимзаде. Исследование симметрии энeргэтических зон электронов в кристаллах типа СdIn2Se4, АН.ССР, ФТТ, том 1, вып 9, ст.1411-1416, 1959.
[6] С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.1963. ст.495.
[7] В.И. Ляшенко, В.Г. Литовченко, И.И. Стенко, В.И. Стриха, Л.В. Ляшенко. Электронные явления на поверхности полупроводников. Киев 1968, ст.399.
|