ABSTRACT
Discrete spectra, quantizing electronic waveforms, are formulated in the process of technologies on CuGaS2 single crystals with atomic clusters and boundaries
of massive matter. The prospects for applied purposes and the conclusion of the data obtained are damaged.
Keywords: Tunnel passage, Coulomb stairs, dislocations, structural disturbances.
PACS: 61.80.Ed
DOI:-
Received: 26.10.2023
AUTHORS & AFFILIATIONS
Institute of Physics named after H.M.Abdullayev of the Ministry of Science and Education Republic of Azerbaijan, 131. H.Javid ave. Baku, AZ-1143
E-mail: gasımoğlu@yahoo.com
Graphics and Images
Fig.1-2 Fig.3-4-5-6 Fig.7-8-9-10 Fig.11-12-13
|
REFERENCIES
[1] W.H. Koschel, F. Sorger and J. Baars. Optikal Phonons in I-II-III2 compounds, Journal de Physique № 9, t. 6, Septembre. 1975, page C3-177.
[2] G.D. Boyd, H.Mc. Kasper. JhMcFee Quantum Electronics, IEEE Journal of 7(12), 1971, p563-573.
[3] А.А. Вайнолин, Ф.М. Гашимзаде, Н.А. Горюнова, Ф.П. Касаманлы, Д.Н. Наследов, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. ФТТ, 5, 1199,1963; Изв.А.Н.ССР,сер. Физ.,1964,т.28, ст.1085.
[4] Л.А. Головань, В.Ю. Тимощенко, П.К. Кашкаров. Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем. УФН, 2007, том 177, номер 6, ст.619-638.
[5] B.Е. Панин, В.Е. Егорушкин. Физическая мезомеханика и неровновесная термодинамика как методологическая основа наноматериаловедениия. Физическая мезомеханика 12,4 (2009) ст. 7-26.
[6] A.П. Бахтинов, В.Н. Водоньянов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, Д.Ю. Конаплянко. Транспорт носителей заряда в композитных нано-структурах на основе слоистого полупроводника Р-GaSe и сегнетоэлектрика KNO3. ФТП, 2011, том 45, вып. 3, ст. 348-359.
[7] γ-radiyasiyanın CuAlS2 monokristalının Volt-Amper xarakteristikasına təsiri. Fizika 2017, Volume XXIII, № 2, Section Az, s.10-14.
[8] Optical Properties of II-IV-V2 and I-III-VI2 Crystals with Particular Reference to Transmission limits. By G.C.Bhar and R.C.Simith. Phys. Stat.sol. (a), 13, 157(1972) p.157-167.
[9] isible Stimulated Emission in ternary Chalcopyrite sulfides and selenides. J.L. Shay and B. Tel and H.M. Kasper. Ap. Physics Leters, Volume 19, Numer 9, 1 november 1971, p.366-368.p.366-368.
[10] Growth and characterization of CuAlS2, and CuAlSe2 sinqle crystals. L. Roa, P. Grima, J. Gonzalez, J.C. Chervin. J.P. Itie, A. Chevy. cryst. Res. Texnol. Volume 31, 1996, p.49-52.
[11] Optical propertoes of the chalcoprite semiconductors ZnGeP2, ZnGeAs2, CuGaS2, CuAlS2, CuInSe2, and AgInSe2. J.C. Rife, and R.N. Dexter, P.M. Bridenbaugh, B.W. Veal. Physical Rev. Volume16, Numer 10, 15 November 1977, p.4491-4500.
[12] Л.И. Бергер, Ф.Э. Балневская. Неорганические материалы. 1966, том. III, № 8, стр. 1514-1515, 1966.
[13] C.T. Hüseynov, T.Q. Qasımov. Azərbaycan EA Xəbərləri, Fizika-texnika və riyaziyyat elmləri seriyası, 1976, № 6, s.105-107.
[14] Комбинационное рассеяние света и динамика кристаллической решетки. М.1982. Н.Г. Басов. с.223.
[15] Физика и Химия соединений А2В6. С.А.Медведева. 1970. С.624.
[16] Тройные полупроводники А2В4С25 и А2В23С46. Кишинев. С.И. Радауцан.1972. с.259.
[17] Полупроводники А2В4С25. Н.А. Горюнова, Ю.А. Валова. M.1974. с.373.
[18] Зоны и Экситоны соединений группы А2В6. В.В.Соболев. Кишинев 1980. с.253.
[19] Yuan deng, Chang-Wei Cui, Ni-La Zhang, Tian-Hao Ji, Qing-lin Yang, Lin Cuo. Fabrication of bismuth telluride nonotubes via a siple solvothermal process, Solid state communications, 138 (2006), p. 111-113.
[20] А.И. Димитриев. Ван-дер-Ваалсова поверхность InSe как возможный стандарт нанорельефа в метрологии нанообъектов, ЖТФ, 2012, том 82, вып. 8, ст. 114-118.
[21] В.И. Козловский, В.С. Кривобок, П.И. Кузнецов, С.Н. Николаев, Е.Е. Онищенко, А.А. Пручкина, А.Г. Тимирязев, С.И. Ченцов. Экситонное излучение тонких кристалических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектирических покрытий. ФТП, 2016, том 50, вып 1, ст.9-17.
[22] Н.Н. Новикова, В.А. Яковлев, И.В. Кучеренко. Спектры инфракрасного отражения и нарушенного полного внутреннего отражения топологического изолятора Bi2Se3. Письма в ЖЭТФ, том 102, вып. 4, с.253-256.
[23] В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский. Размерный оптический эффект в наноструктурированных пленках In2O3 ФТП, 2013, том 47, вып. 3 с.320-323.
[24] J.L. Say, B. Tell, H.M. Kasper and I.M. Schiavone. p-d Hibridization of the Valence Band of I-III-VI2 Compounds. Physical Review B Volume 5, Number 12, 15 June, 1972, p.5003-5005.
[25] В.П. Жузе, В.М. Сергева и Е.Л. Штурм. Полупроводниковые соединения с общей формулой АВХ2. ЖТФ, том ХХVIII, в.10,с-2094-2108, 1958.
[26] W.H. Koschel, F. Sorger and J. Baars. Optical Phononsin I-III-VI2 Compounds. Jou single crystals.
[27] Р.В. Поль. Оптика и атомная физика, 1966, ст.552.
[28] İ. Qasımoğlu. Elektrik sahəsinin təsiri ilə CuGaS2 monokristalında yaranan döyünən cərəyan. Volume XX, Number 3 Section: Az November, 2014.s 25-27.
[29] М. Косевич. Основы механики кристалической решетки. М.1964.
[30] А.Л. Бучаченко. УФН. 2014, том 184. № 1, ст. 101-108.
|