2024   01   en   p.35-37 G.S. Hajiyeva, N.N. Abdulzade, F.A. Kazimova,
Low voltage semiconductor stabilitron		  pdf 

ABSTRACT

A device has been manufactured having an active region consisting of a semiconductor alloy composed of silver selenide and silver telluride taken in an equimolar ratio with an n-type conductivity. It has been determined that the proposed device is capable of stabilizing and limiting low alternating voltage. A mechanism for the observed breakdown has been suggested.

Keywords: stabilitron, threshold voltage, breakdown, active region.
DOI:10.70784/azip.1.2024135

Received: 18.03.2024
Internet publishing: 27.06.2024

AUTHORS & AFFILIATIONS

Institute of Physics Ministry of Science and Education of Azerbaijan, AZ 1143, Baku, G. Javid Ave., 131
E-mail: kazimova-f@mail.ru

Graphics and Images

       

Fig.1       Fig.2        Fig.3

 REFERENCIES

[1]   Ш.М. Алекперова, Г.С. Гаджиева, И.А. Ахмедов, Р.Г. Ахмедзаде. II Респуб. конф. “ Актуальные проблемы физики” БГУ, 2003, стр.13.
[2]   Ш.М. Алекперова, Г.С. Гаджиева, Н.Н. Абдулзаде, И.А. Ахмедов, Р.Г. Ахмедзаде. Труды III Между. научно - техн. конф. “Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе” Баку-Сумгаит, МЭПП, 2003, с.44.
[3]   Ш.М. Алекперова, Г.С. Гаджиева, Н.Н. Абдулзаде, И.А. Ахмедов, Р.Г. Ахмедзаде, М.И. Агаев. Сборник материалов, Междун. конф. посвященной 85 - летию Г.Б. Абдуллаева. Баку, 2003, стр.
[4]   Ш.М. Алекперова, Г.С. Гаджиева, И.А. Ахмедов. Известия НАН Азерб. Баку. 2005, т. ХХV, № 5, стр.123-128.
[5]   Ш.М. Алекперова, Г.С. Гаджиева, И.А. Ахмедов. Междунар. конф. Физика – 2005, № 228, стр. 863 – 865.
[6]   Ш.М. Алекперова, Г.С. Гаджиева, И.А. Ахмедов, Л.Н. Алиева. Известия НАН Азерб. Баку. 2006, т. ХХVI, № 5, стр.153 -159.
[7]   Ш.М. Алекперова, Г.С. Гаджиева, Х.Д. Джалилова, И.А. Ахмедов. Межд. конф., посвященная 100 – летию академика Х.И. Амирханова “Физика 1-2 “, 2007, т. ХIII, стр. 258 – 259.
[8]   Г.С. Гаджиева, И.А. Ахмедов, Н.Н. Абдулзаде. Инженерно – физич. журнал, Минск, АН Беларуси, 2013, т. 86, № 2, стр. 447 – 450.
[9]   Г.С. Гаджиева, И.А .Ахмедов, Н.Н. Абдулзаде. Инженерно – физич. журнал, Минск АН Беларуси, 2015, т. 88, № 4, стр. 994 -997.
[10]  Г.С. Гаджиева, Ф.А. Казымова, Т.Ш. Ибрагимова, К.О. Тагиев, Э.Г. Асадов. International Conference: modern trends in physics. Baku–2017, p.421 -423.
[11]  Г.И. Епифанов. Физика твердого тела. Москва, изд.-во «Высшая школа» 1977, с.288.