Institute of Physics Ministry of Science and Education Republic of Azerbaijan

2024 02 az p.03-06

I. Gasimoglu, G.S. Mehdiev. S.T. Guseinov,
The spectral characteristics of the electromotive force of n-p-n junctions on CuGaSe₂ single crystals were studied using the capacitor method

pdf

ABSTRACT

For the first time, the spectral characteristics of the electromotive force of n-p-n junctions were tudied using the capacitor method for CuGaSe₂ single crystals. They noted that using such characteristics it is possible to create new and high-quality microelectronic devices.

Keywords: electric motive force, "n-p-n" junction, capacitor method.
PACS: 61.80.Ed

DOI:-

Received: 16.04.2024

AUTHORS & AFFILIATIONS

1. Institute of Physics named after H.M.Abdullayev of the Ministry of Science and Education Republic of Azerbaijan AZ-1143, Baku, 131.H.Javid ave.
E-mail: gasımoğlu@yahoo.com

Graphics and Images

Fig.1 Fig.2 Fig.3 Fig.4 Fig.5 Fig.6 Fig.7

REFERENCIES

[1]   Optikal Phonons in I-II-III2 compunds, W.H.Koschel, F. Sorger and J. Baars. J. de Phyusique № 9, tome 36, Sertembre, 1975, page C3-177.
[2]   G.D. Boyd, H.Mc. Kasper. JhMcFee Quantum Electronics, IEEE Journal of 7(12), 1971, p.563-573.
[3]   Ф.М. Гашимзаде, ФТТ, 5, 1199, 1963; А.А. Вайнолин, Ф.М. Гашимзаде, Н.А. Горюнова, Ф.П. Касаманлы, Д.Н. Наследов, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь, Изв. АН ССР, сер. Физ., 1964, т.28, ст.1085.
[4]   Технология полупроводниковых материалов. М.1961. ст.314.
[5]   Е.Г. Гулый, И.П. Жадько, В.А. Романов. Фотовольтаические свойства асимметричной периодической,"p-n-p"-cтруктуры. ФТП том 16, № 2, ст 331-336.
[6]   Полупроводники в науке и технике. Л. 1957. Том 1, ст.470
[7]   С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.1963. ст. 494.
[8]   С.Н. Левин. Основы полупроводниковой микроэлектеоники. М.1966. ст. 243.
[9]   Visible Stimulated Emission in ternary Chalcopyrite sulfides and selenides. J.L.Shay and B.Tel and H.M. Kasper. Ap. Physics Leters, Volume 19, Numer 9, 1 november 1971, p.366-368.
[10]  Growth and characterization of CuAlS₂ and CuAlSe₂ sinqle crystals. L.Roa, P.Grima, J.Gonzalez, J.C.Chervin, J.P.Itie, A.Chevy. cryst. Res. Texnol. Volume 31, 1996, p. 49-52.
[11]  Optical properties of the chalcoprite semiconductors ZnGeP₂, ZnGeAs₂, CuGaS₂, CuAlS₂, CuInSe₂ and AgInSe₂, J.C. Rife and R.N. Dexter, P.M. Bridenbaugh, B.W.Veal. Physical Rev. Vol.16, № 10, 15 November 1977, p. 4491-4500.
[12]  Л.И. Бергер, Ф.Э. Балневская. Неорганические материалы. 1966, том. III, № 8, стр. 1514-1515, 1966.
[13]  C.T. Hüseynov, T.Q. Qasımov. Azərbaycan EA Xəbərləri, Fizika-texnika və riyaziyyat elmləri seriyası, 1976, № 6, s.105-107.
[14]  Комбинационное рассеяние света и динамика кристаллической решетки. М. 1982. Н.Г. Басов. с.223.
[15]  Физика и Химия соединений А²В⁶. С.А. Медведева. 1970. С.624.
[16]  Тройные полупроводники А²В⁴С²⁵ и А²В²3С⁴⁶. Кишинев, С.И. Радауцан.1972, 259.
[17]  Полупроводники А²В⁴С²⁵. Н.А.Горюнова, Ю.А.Валова. M.1974. с.373.
[18]  Зоны и Экситоны соединений группы А²В⁶. В.В. Соболев. Кишинев 1980, с.253.
[19]  Yuan deng, Chang-Wei Cui, Ni-La Zhang, Tian-Hao Ji, Qing-lin Yang, Lin Cuo. Fabrication of bismuth telluride nonotubes via a siple solvothermal process, Solid state communications, 138(2006), p. 111-113.
[20]  А.И. Димитриев. Ван-дер-Ваалсова поверхность InSe как возможный стандарт нанорельефа в метрологии нанообъектов, ЖТФ, 2012, том 82, вып. 8, ст. 114-118.