|
|
|
|
|
Home | Services
|
Contact Info |
|
|
|
|
|
|
Fizika, 2007,vol.XIII, 4
|
|
1. |
|
А.Ш.Абдинов, А.Х. Кязимзаде
Роль деятельности Г.А.Ахундова в Азербайджанском Государственном Университете в развитии физики в Азербайджане
|
5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2. |
|
М.И. Алиев, Д.Х.Араслы, Р.Н.Рагимов, А.А.Халилова
Воздействие межфазных зон на электрическую проводимость композиционной эвтектики InSb-MnSb и GaSb-FeGa1,3. |
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
3. |
|
П.Г. Аждаров, З.М. Захрабекова, С.М. Багирова, З.М. Зейналов
Подвижность электронов в сложнолегированных кристаллах Ge-Si.
|
12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
4. |
|
Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, С.Ш. Кахраманов, Т.Г. Керимова, А.И. Манаков, К.М. Мустафаева, С.А. Немов, М.Р. Трунин
Электрические и гальваномагнитные эффекты в монокристаллах группы.
|
16 |
|
|
|
|
|
|
|
|
5. |
|
Б.Мурадов, С.А.Талыбова, А.Г.Мурадова,А.М.Магеррамов, М.А.Аллахвердиев, А.Г.Яшар
Исследование процесса роста наноструктур сульфида меди в объеме матрицы диоксида кремния методом сканирующей электронной микроскопии.
|
22 |
|
|
|
|
|
|
|
|
6. |
|
М.М. Тагиев
Термоэлелементы на основе экструдированных образцов Вi2Te2,7Se0,3 и Вi0,5Sb1,5Te3.
|
25 |
|
|
|
|
|
|
|
|
7. |
|
А.А.Исмаилов, М.М.Ширинов
Фотоэлектрические свойства в монокристаллах TlGaSe2 и TlInS2.
|
28 |
|
|
|
|
|
|
|
|
8. |
|
А.Ч. Мамедова, Д. И. Исмаилов
Электронографическое исследование пленок AgGaS2(Se2) различных субструктур.
|
30 |
|
|
|
|
|
|
|
|
9. |
|
Э. Ш. Гаджиев, А. И. Мададзаде
Электронографическое исследование ближнего порядка в аморфных пленках соединений Yb1-хSmхAs4Sе7.
|
33 |
|
|
|
|
|
|
|
|
10. |
|
Ф.К. Алескеров, А.Ш.Кахраманов
Термостат нелинейного кристаллического преобразователя частоты лазерного излучения..
|
35 |
|
|
|
|
|
|
|
|
11. |
|
Ф.К.Алескеров, Е.М. Дерун, М.Г. Пишкин, Г.Кавеи и С.Ш.Кахраманов
Некоторые особенности формирования нанообъектов в межслоевом пространстве кристаллов типа .
|
41 |
|
|
|
|
|
|
|
|
12. |
|
С.Б. Казымова, М.Е.Алиев, А.С.Гасанова
Миллиметровый и сантиметровый спектры вращения транс-конформера молекулы (CD3)2CDOH.
|
46 |
|
|
|
|
|
|
|
|
13. |
|
М.Б.Мурадов, Г.М.Эйвазова, А.Г.Яшар
Изучение процессов трансформации сульфида кадмия на селенид кадмия, при ионном обмене из растворов электролитов.
|
52 |
|
|
|
|
|
|
|
|
14. |
|
М. А.Нуриев, Р. М.Султанов, Д. И.Исмаилов
Электронографическое исследование пленок сверхструктурных фаз CuInS2 .
|
55 |
|
|
|
|
|
|
|
|
15. |
|
S.G.Rzaev
Effect the electrical field on the generation-recombination properties of the point defect clusters in p-n junctions.
|
57 |
|
|
|
|
|
|
|
|
16. |
|
Н.К.Керимова, Д.И. Исмаилов
Электронографическое исследование фазового состава системы серебро-индий-сера и
формирование пленочных структур AgInS2.
|
60 |
|
|
|
|
|
|
|
|
17. |
|
Shemsettin Altindal, Tofig Mammadov, Havva Kutluca, N.D. Ahkmedzade, M.M. Shirinov
Analysis of temperature and bias dependence of barrier height in Al/p-Si Schottky diodes with interfacial insulator layer.
|
64 |
|
|
|
|
|
|
|
|
18. |
|
Н.Д.Исмайлов,Э.К Гусейнов, И.С.Гасанов, С.А.Алиева
Детекторы ультрафиолетового излучения на структурах ITO-GaSe.
|
66 |
|
|
|
|
|
|
|
|
19. |
|
М.А. Нуриев, Э.Э. Алекперова, Д.И. Исмаилов
Фазовые равновесия в тонких слоях системы Cu – Ga – S, кинетика кристаллизации аморфных пленок CuGaS2
|
68 |
|
|
|
|
|
|
|
|
20. |
|
А.А.Исмаилов
Анизотропия электропроводности в монокристаллах TlS.
|
71 |
|
|
|
|
|
|
|
|
21. |
|
Г.М. Ахмедов
Формирование пленочных структур в системе висмут-сера и изменения ближнего порядка в аморфных пленках Bi2S3, стимулированные воздействием внешнего электрического поля.
|
73 |
|
|
|
|
|
|
|
|
22. |
|
Н.А. Абдуллаев, М.А. Алджанов, С.Ш. Кахраманов, С.А. Немов, Т.Г. Керимова, Ф.Н. Абдуллаев, К.М. Мустафаева, Г.Д. Султанов
Магнитоосцилляционные эффекты в монокристаллах группы и твёрдых растворах.
|
77 |
|
|
|
|
|
|
|
|
23. |
|
А.И Мамедов., Р.З Мехтиева. Н.Н, Гаджиева., В.И.Еминова
ИК-спектроскопические исследования gamma-облученных твердых растворов
(1-x)Pb(Mg1/2W1/2)O3 - хBiFeO3
.
|
81 |
|
|
|
|
|
|
|
|
24. |
|
Я.Ч.Багиров, А.Р.Имамалиев, А.А.Аббасзаде
Об энергопотреблении электрооптической ячейки с сегнетоэлектрическим жидким кристаллом.
|
83 |
|
|
|
|
|
|
|
|
25. |
|
Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, С.А. Абушов, Г.Ю. Эйюбов
Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов GaS: Er, Yb
|
85 |
|
|
|
|
|
|
|
|
26. |
|
Н.З.Джалилов, C.И.Мехтиева, Н.М.Абдуллаев
Оптические параметры и межзонные переходы кристаллов теллурида висмута
|
89 |
|
|
|
|
|
|
|
|
27. |
|
М.М.Асадов, А.Ч.Мирзоев, О.М.Алиев
Физико-химические и термодинамические свойства систем А2В6 (А2 = Hg; Cd; В6 = S, Te) – GeSe2
|
92 |
|
|
|
|
|
|
|
|
28. |
|
S.N.Mustafaeva, N.Z.Gasanov, A.I.Gasanov
Frequency – dependent dielectric properties of TlGa1-xCoxS2 single crystals
|
95 |
|
|
|
|
|
|
|
|
29. |
|
Ф.Ф. Алиев, А.А. Саддинова, А.А. Кулиев
Энергетический спектр носителей заряда в beta-Ag2S
|
98 |
|
|
|
|
|
|
|
|
30. |
|
Р.Г.Агаева
Недиагональная компонента тензора электропроводности квантовой проволоки
|
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
31. |
|
Н.И. Ибрагимов, В.Г.Агаев
Исследование возможностей расширения области фоточувствительности электрофотографических слоёв CdInGaS4
|
102 |
|
|
|
|
|
|
|
|
32. |
|
S.N.Mustafaeva, E.M.Kerimova, G.M.Akhmedova
Parameters of roentgen detectors on the base of TlGaS2 single crystals
|
105 |
|
|
|
|
|
|
|
|
33. |
|
Р.А.Гулиев
Спектры фотолюминесценции CdGa2S4xSe4(1-х)
|
107 |
|
|
|
|
|
|
|
|
34. |
|
Э.М.Kеримова, Н.З.Гасанов, Д.И.Исмаилов, М.А.Алджанов, С.Ф.Байрамов, A.Гасанов
Исследование края оптического поглощения твердых растворов двойного замещения
Tl(GaS2)1-x(InSе2)x(х=0-0,1)
|
109 |
|
|
|
|
|
|
|
|
35. |
|
Г.А.Ахмедова, Г.З.Багирова, Н.Б.Мустафайев, Г.М.Муртузов, З.Ф.Агаев, Д.С. Абдинов
Влияние термической обработки на электрофизические свойства кристаллов с примесью таллия
|
111 |
|
|
|
|
|
|
|
|
36. |
|
Зафар.Кадыроглы, Д.Т. Гусейнов., Р.А.Гулиев
Оптическое гашение фототока в соединении CdGa2S4
|
115 |
|
|
|
|
|
|
|
|
37. |
|
И.Р.Нуриев, А.А.Алиев, И.С.Гасанов, Х.Д.Джалилова, С.С.Фарзалиев
Структура, фотоэлектрические и оптические свойства эпитаксиальных пленок PbS1-xTe
|
118 |
|
|
|
|
|
|
|
|
38. |
|
И.Р. Нуриев, М.Б. Гаджиев, Р.М. Садыгов
Эпитаксиальные пленки Pb1-XMnXSe и фоточувствительные p-n гомопереходы на их основе
|
121 |
|
|
|
|
|
|
|
|
39. |
|
Э.Ю. Салаев, И.Р. Нуриев, В.Я. Данчев, А.М. Назаров, Н.В. Фараджев, М.Б. Гаджиев Особенности роста и структура пленок GaSe
|
124 |
|
|
|
|
|
|
|
|
40. |
|
Т.Г.Керимова, С.Г.Асадуллаева, А.Г.Султанова,И.А.Мамедова
Оптическое поглощение новой модификации ZnIn2Se4 в области края собственного поглощения
|
126 |
|
|
|
|
|
|
|
|
41. |
|
Т.Г.Керимова, И.Г. Насибов, С.Г.Шукуров, С.Г.Асадуллаева
Спектры фотолюминесценции ZnGa2S4< Nd>
|
128 |
|
|
|
|
|
|
|
|
42. |
|
И.Гасымоглы, И.А.Мамедова, Г.С.Мехтиев
Фотоэдс в монокристаллах CuGaSe2
|
130 |
|
|
|
|
|
|
|
|
43. |
|
Р.А. Исмайылова, И.Б. Бахтиярлы, Б.Ш. Бархалов, М.М. Тагиев, Р.Ю. Алиев Термоэлектрические свойства твердых растворов системы (Sb2Те3)0,92(Gd2Te3)0,08 - Bi2Te3
|
132 |
|
|
|
|
|
|
|
|
44. |
|
Е.Р.Алиева, И.Я.Алиев, З.И.Сулейманов, А.С.Аббасов
Исследование термодинамических свойств системы Cu2 Se – Sm2 Se3
|
134 |
|
|
|
|
|
|
|
|
45. |
|
А.Ш Абдинов., Р.Ф.Бабаева, А.Т.Багирова, Р.М.Рзаев
Электрические и люминесцентные неустойчивости в легированных редкоземельными элементами кристаллах моноселенидов А3В6 со слоистой структурой
|
136 |
|
|
|
|
|
|
|
|
46. |
|
Ш.М.Алекперова, А.А.Алиев, Л.Н.Алиева, И.А.Ахмедов, Г.С. Гаджиева, Х.Д. Джалилова Электрические и оптические свойства тонких пленок n-Ag4SeTe
|
139 |
|
|
|
|
|
|
|
|
47. |
|
А.Р.Асланова, Т.Исмаилов
Зависимости эмиссионных параметров диодов Шоттки от полярности напряжения
|
141 |
|
|
|
|
|
|
|
|
48. |
|
А.Г. Кязым-заде, А.А. Агаева, В.М. Салманов
Эффект насыщения зон в кристаллах GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения
|
144 |
|
|
|
|
|
|
|
|
49. |
|
А.Салман Манучари, Б.З.Алиев, К.З.Нуриев
Физическая картина атомизации, ионизации и рекомбинации ионов в лазерной масс-спектрометрии твердых тел
|
148 |
|
|
|
|
|
|
|
|
50. |
|
H.M.Mamedov
Electrical and photoelectrical measurements in p-Si/Cd0.3Zn0.7S0.8Se0.2 heterostructures with intermediate buffer layer of CdS
|
151 |
|
|
|
|
|
|
|
|
51. |
|
А.С. Аббасов, М. А. Махмудова, М.И. Агаев, И. Я. Алиев, О. Р. Ахмедов Термодинамические свойства системы YbSe-Bi2Se3
|
154 |
|
|
|
|
|
|
|
|
52. |
|
A.A.Bayramov, G.M.Akhmedov,.A.Safarov, S.M.Bayramova
Thermophotovoltaic properties of Bi2Te3 and Bi2Se
|
156 |
|
|
|
|
|
|
|
|
53. |
|
Э.Н.Заманова, С.М.Багирова, Г.Я.Гейдарзаде
Влияние Zn на свойства гетеропереходов Al-CdS-Cu2-xS-In,полученных химическим способом
|
159 |
|
|
|
|
|
|
|
|
54. |
|
Reza Yazdankhah Hoseyn, Mohammed Reza Belghadr Jamshid, E.R.Gasanov
The internal and external relaxation instability in semiconductors
|
162 |
|
|
|
|
|
|
|
|
55. |
|
А.О.Алиев, Л.Г.Гасанова, А.З.Магамедов, А.А.Мамедов, M.А. Aсланов
Акустические исследования кристаллов твердых растворов системы Sb2S3-Sb2Se3
|
164 |
|
|
|
|
|
|
|
|
56. |
|
R.A.Karamaliev
Double – layer antireflective coatings on absorbing substrates
|
165 |
|
|
|
|
|
|
|
|
57. |
|
З.Я. Садыгов, Э.А.Джафарова, Э.С.Таптыгов, Н.А.Сафаров, З.А.Искендерзаде.
Кремниевые фотоэлектрические преобразователи для солнечных модулей с концентратором
|
168 |
|
|
|
|
|
|
|
|
58. |
|
А.С. Аббасов, И.Я. Алиев, С.О. Искендеров, Э.М. Исламзаде, З.И. Сулейманов Термодинамическое исследование системы Gd2Se3 - Cu2Se
|
171 |
|
|
|
|
|
|
|
|
59. |
|
С.И.Мехтиева, Н.З.Джалилов, Н.M.Абдуллаев, М.Ш.Мамедов, Н.Р.Меммедов
Датчик инфракрасного излучения на основе теллурида висмута
|
173 |
|
|
|
|
|
|
|
|
60. |
|
C.И.Мехтиева, Н.З.Джалилов, Н.М.Абдуллаев, Н.Р.Меммедов, В.З.Зейналов, М.И.Велиев Исследование спектров поглощения плёнок Вi2Тe3-х Se х легированных тербием
|
176 |
|
|
|
|
|
|
|
|
61. |
|
В.А.Алиев, К.Ш.Кахраманов, Н.А.Алиева
Проблема воспроизводимости рабочих характеристик приборов на основе слоистых кристаллов АIIIВIIIСVI2
|
178 |
|
|
|
|
|
|
|
|
62. |
|
А.Г.Кязымзаде, Л.Г.Гасанова, Р.М.Мамедов
Индуцированная прыжковая проводимость монокристалла Cu3In5S9
|
180 |
|
|
|
|
|
|
|
|
63. |
|
Д.Т.Гусейнов, Зафар Кадыроглы, Н.Э.Гасанов, Т.Г.Керимова
Изменение фоточувствительности монокристаллов AgGaSe2-xS2x (x=0,25) в процессе освещения
|
182 |
|
|
|
|
|
|
|
|
64. |
|
M.Achikgoz , S.Kazan, F.A.Mikailov, T.G.Mammadov, B.Aktash
Low temperature electron paramagnetic resonance investigations of Fe3+ doped ferroelectric TlGaSe2 crystal
|
185 |
|
|
|
|
|
|
|
|
65. |
|
М.А.Джафаров, Э.Ф.Насиров, С.А.Мамедова, Р.М.Багиров
МДП структуры на основе пленок CdSе1-xТex
|
189 |
|
|
|
|
|
|
|
|
66. |
|
Р.К.Мамедов
Образование потенциального барьера в однородном КМП с ограниченной контактной поверхностью
|
192 |
|
|
|
|
|
|
|
|
67. |
|
А.А.Агасиев, Ч.Г.Ахундов, М.З.Мамедов, Н.Н.Годжаев, Х.О.Гафарова
Пленки Si, полученные методом магнетронного распыления
|
196 |
|
|
|
|
|
|
|
|
68. |
|
Н.Н.Лебедева, В.И.Орбух, Г.М.Эйвазова, Е.Ю.Боброва
Выпрямление на контакте полупроводник-газоразрядная плазма
|
199 |
|
|
|
|
|
|
|
|
69. |
|
Э.Ш. Алекперов, Э.С.Гараев, Д.И.Исмайлов
Кинетика кристаллизации нанотолщинных пленок TlGa1-xGexSe2
|
201 |
|
|
|
|
|
|
|
|
70. |
|
Б.Г.Тагиев, С.А.Абушов, О.Б. Тагиев
Люминесценция кристаллов CaGa2Se4:Eu
203 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
71. |
|
М.М.Тагиев
Текстура деформации и кинетические параметры экструдированных образцов Вi2Te2,7Se0,3 и Вi0,5Sb1,5Te3 с различными размерами зерен
|
206 |
|
|
|
|
|
|
|
|
72. |
|
А.Н.Нуриев, Б.З.Рзаев, А.Б.Рзаева
Получение TlNo3-In2S3-H2O системы таллиум тиоиндат
|
210 |
|
|
73. |
|
Tofig Mammadov , Shemsettin Altindal, M. Hamdi Kural, M.M. Shirinov
The intersection behavior of reverse bias current -voltage (I-V) characteristics of
(Al-Tiw+PtSi)/n-Si Schottky diodes at wide temperature range
|
212 |
|
|
|
|
|
|
|
|
74. |
|
B. G. Salamov, S. T. Agaliyeva, M. Ozer, T.S. Mammadov
Characteristic features of GaAs photodetector in a semiconductor - gas discharge structure
|
215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
75. |
|
T.S. Mamadov, H. Kanbur, Y. Shafak, Sh. Altindal, S. Acar, N. D. Akhmedzade
Frequency and temperature dependent interface states and series resistance of Au/CdTe Schottky diodes
|
219 |
|
|
|
|
|
|
|
|
76. |
|
О.З.Алекперов, И.А.Ахундов, А.И.Наджафов, А.Р.Факих
Структурные изменения и аморфизация в моноклинном TlInS2 при отжиге в парах серы
|
224 |
|
|
|
|
|
|
|
|
77. |
|
Н.Р.Бабаева, А.М. Гашимов, Т.Р. Мехтиев
О некоторых особенностях протекания тока через частотнозависимый резистор
|
230 |
|
|
|
|
|
|
|