Home | Services | Contact Info |
Search:   
      Fizika, 2009,vol.XV, 2

    А.А. Исмаилов, Н.Д. Ахмедзаде, М.М. Ширинов Определение параметров примесных состояний при облучении гамма-квантами в монокристаллах TlGaSe2 3  
           
    А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.З. Джалилов, С.Н. Гарибова Влияние примеси EuF3 на оптические свойства стеклообразной системы Se5 As5. 5  
           
    В.М. Алиев, С.С. Рагимов, Р.И. Селим-Заде, А.Н. Мамедова Электрофизические свойства сверхпроводящей CdBa2Cu3O6 керамики 9  
           
    B.Sh. Barkhalov, F.Sh. Mamedov. Meyer-Neldel rule (compensation effect) in semiconductive oligohydroquinone. 11  
           
    Д.Ш.Абдинов, Т.Д.Алиева, Г.Дж. Абдинова, Н.М.Ахундова Электронные и адгезионные явления в контактах некоторых полупроводниковых систем с контактными материалами 15  
           
    G.A. Ahmedova, C.Sh. Abdinov Tallium ashqarli qurgushun tellurid monokristallarinin elektrik xasseleri. 18  
           
    H. Yucel Kurt, E. Kurt, B.G. Salamov Development and characterization of semiconductor gas discharge microstructure 22  
           
    М.А. Рамазанов, С.А. Абасов, А.А. Расулова, Р.Л. Байрамова, Х.С. Ибрагимова Прочностные свойства нанокомпозитов на основе полипропилена и наногелев (глин) марки DК1 и DК2 25  
           
    S.T.Aghaliyeva, D. Korucu, T.S.Mammadov On the profile of interface states and series resistance in Sn/p-InP Schottky barrier diodes (SBD) 28  
           
    Hasanov E.R., Rasoul Nezhad Hossei Instability in semiconductors with deep traps 31  
           
    М.И.Алиев, Д.Г.Араслы, Р.Н.Рагимов, А.А.Халилова, И.Х.Мамедов Анализ решеточный теплопроводности твердых растворов Ga1-хInхAs 35  
           
    Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, К.Ш. Кахраманов Морфология поверхности (0001) <примесь>. 38  
           
    М.М. Тагиев Экструдированные материалы на основе твердых растворов Bi0.85Sb0.15, Bi0.5Sb1.5Te3 и Bi2Te2.7Se0.3 43  
           
    С.Н. Мустафаева, А.А. Исмаилов Специфика ВАХ -облученных монокристаллов TlInS2. 52  
           
    А.М. Назаров, Н.В. Фараджев Фоточувствительные p-n гомопереходы на основе эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe 55  
           
    М.Г. Кязумов Индикатор – рефлексы 58  
           
    M.I.Eliyev, H.B.Ibrahimov, H.E.Hesenov Tesirsiz muhitde izохrоn tеrmоdemlemenin mesаmeli silisiumun еlеktrik хаsselerine tesiri 66  
           
    H.R.Nuriyev, R.M.Sadiqov Pb1-xMnxTe (Ga) epitaksial tebeqelerinin buyume xususiyyetlerinin elektrofiziki xasseleri ile elaqeli tedqiqi 71  
           
    И.Р.Нуриев, С.С.Фарзалиев, Х.Д.Джалилова Структура и фотопроводимость эпитаксиальных пленок PbSe1-xTex. 74  
           
    О.Б.Абдинов, Ф.Т.Халил-заде, С.С.Рзаева Влияние Хиггсовского поля на квантование электрического заряда в модели Вайнберга – Салама 76  
           
    R.F.Babayeva Lantanoidlerle ashqarlanmish layli AIIIBVI kristallari esasindaki heterokecidlerde elektron proseslerinin xususiyyeteri 81  
           
    Б.А.Таиров, О. И. Ибрагимова Выращивание монокристаллов твёрдых растворов висмут–сурьма, легированных оловом и теллуром 86  
           
    Г.Х. Аждаров, З.М. Захрабекова, М.А. Акперов, А.И. Алекперов, В.В. Мир-Багиров Распределение компонентов в монокристаллах твёрдых растворов GaSb-InSb, выращенных методом Бриджмена 89  
           
    R.M.Sardarly, O.A.Samedov, A.P.Abdullayev, A.A.Bayramov, F.T.Salmanov, G.R.Safarova Hopping conduction and Poole-Frenkel effect in TlGaTe2 91  
           
    Ш.О.Эминов Химическое травление полярных плоскостей {111} InSb при подготовке к жидкостной эпитаксии 96  
           
    Ю.Г.Асадов, Ю.И.Алыев, А.Г.Бабаев, Ф.Г.Магеррамова, К.М.Джафаров Полиморфные превращения в кристаллах Cu1,80-xAxTe (х=0; 0,05; 0,30, А=Zn, Cd) 101  
           
    З.М. Зейналов, С.О. Мамедова, З.М. Захрабекова, Г.Х.Аждаров Математическое моделирование распределения примеси Al в монокристаллах Ge-Si, выращенных методом двойной подпитки расплава 106  
           
    Е.Р.Алиева, И.Я.Алиев, З.И.Сулейманов, А.С.Аббасов Термодинамические свойства системы Cu2 Se - Sm2 Se3 109  
           
    Р.Г. Велиев, Э.М. Керимова, Р.З. Садыхов, Ю.Г. Асадов, А.И. Джаббаров Рентгенографический анализ, магнитная восприимчивость и электропроводность TlСoS2, TlСoSe2 111  
           
    Н.А.Абдуллаев Особенности механизма переноса заряда в слоистых кристаллах 115  
           
    Э.Д. Курбанов Рентгеновское излучение быстрых электронов при высоковольтном наносекундном пробое воздуха повышенного давления 119  
           
    Y.R.Eliyeva, Z.I.Suleymanov, A.S.Abbasov, M.E.Alcanov Cu5SmSe4 birleshmesinin istilik tutumu ve termodinamik funksiyalari 122  
           
    A.A. Хабибзаде, Т.Р. Мехтиев, А.М. Гашимов, Н.Р. Бабаева Зависимость электрических и магнитных свойств оболочки частотнозависимого резистора от концентрации и размеров ферромагнитных гранул 124  
           
    Sh.M. Abbasov, B.A.Suleymanov, A.C.Mikailova Distrubution of radionuclides in central regions of Azerbaijan 129  
           
    Г.И.Абуталыбов, А.А.Мамедов Особенности спектроскопических свойств кристаллов 132  
           
    Б. А. Таиров, О. И. Ибрагимова, Э. Р. Юзбашев Исследование валентной зоны сплава Bi0,84Sb0,16 легированным оловом 138  
           
    А.А Мамедов Полупроводниковые кристаллы и стекол с редкоземельными активаторами 141  
           
    А.С. Гусейнова, М.А. Рамазанов Влияние коронного разряда на электретные свойства полиолефинов, модифицированных добавками низкомолекулярных красителей 160  
           
    Kiymaz, B. Onal, M. Ozer and S. Acar Investigation of series resistance and surface states in Au/n-GaP structures 162  
           
    А.А. Салманова Нелинейное поглощение света в кристаллах InSe при лазерном возбуждении 164  
           
    H. Koralay, Sh. Cavdar and A. Gunen -Irradiation effects on crystallization kinetics of Bi1.7V0.3Sr2Ca2Cu3Ox glass-ceramic 167  
           
    Г. И. Абуталыбов, С.З. Джафарова, Н.А. Рагимова Частотные и температурные характеристики поглощения пьезоактивных волн в -GaSe 170  
           
    E. Koc, M. Civi, B.G. Salamov Peculiarities of charge transport in a semiconductor gas discharge electronic devices 173  
           
    Mehmet Canturk, Erol Kurt Eigenvalue solutions from a Josephson junction circuit as a model of a charge qubit 177  
           
    A.A. Довлатов Исследование температурных свойств новых микропиксельных лавинных фотодиодов 180  
           
    Б.М.Рустамбеков, Ф.Х.Мамедов Исследование зависимости энергий переходов И в соединениях методом электроотражения 183  
           
    Г.Н. Касимова Анализ механизма разрушения полной хаотической синхронизации с помощью вейвлетного преобразования 185  
           
    М.А. Джафаров, Э.Н. Заманова, Г.Я. Гейдарзаде, И.Т. Поладова, Р.А.Гасанова Фотоэлектрические свойства наноразмерных плёнок ZnS1-хSeх 187  
           
    Ш.М. Нагиев, С.И.Гулиева Релятивистская квантовая частица в однородном поле 190  
           
    D. Korucu, T. Asar, B. Kinaci, U. Aydemir,T.S. Mammadov, S. Ozcelik Series resistance effect on I-V characteristics of Au/n-InP Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 80-400K 195  
           
    C. Г.Aсадуллаева Фотолюминесценция кристаллов ZnGa2Se4 и ZnGa2Se4: Мn 199  
           
    E.Sh. Haciyev Yb(Sm)-As-S(Se,Te) sistemlerinde faza emelegelme, qurulush ve kristallashma kinetikasi 201  
           
© Copyright 2005 Institute of Physics. All Rights Reserved.