|
 |
|
|
|
|
Home | Services
|
Contact Info |
|
|
|
|
| |
|
|
Fizika, 2009,vol.XV, 2
|
| |
1. |
|
А.А. Исмаилов, Н.Д. Ахмедзаде, М.М. Ширинов
Определение параметров примесных состояний при облучении гамма-квантами в монокристаллах TlGaSe2
|
3 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
2. |
|
А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.З. Джалилов, С.Н. Гарибова
Влияние примеси EuF3 на оптические свойства стеклообразной системы Se5 As5.
|
5 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
3. |
|
В.М. Алиев, С.С. Рагимов, Р.И. Селим-Заде, А.Н. Мамедова
Электрофизические свойства сверхпроводящей CdBa2Cu3O6 керамики
|
9 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
4. |
|
B.Sh. Barkhalov, F.Sh. Mamedov.
Meyer-Neldel rule (compensation effect) in semiconductive oligohydroquinone.
|
11 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
5. |
|
Д.Ш.Абдинов, Т.Д.Алиева, Г.Дж. Абдинова, Н.М.Ахундова
Электронные и адгезионные явления в контактах некоторых полупроводниковых систем с контактными материалами
|
15 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
6. |
|
G.A. Ahmedova, C.Sh. Abdinov
Tallium ashqarli qurgushun tellurid monokristallarinin elektrik xasseleri.
|
18 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
7. |
|
H. Yucel Kurt, E. Kurt, B.G. Salamov
Development and characterization of semiconductor gas discharge microstructure
|
22 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
8. |
|
М.А. Рамазанов, С.А. Абасов, А.А. Расулова, Р.Л. Байрамова, Х.С. Ибрагимова
Прочностные свойства нанокомпозитов на основе полипропилена и наногелев (глин) марки DК1 и DК2
|
25 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
9. |
|
S.T.Aghaliyeva, D. Korucu, T.S.Mammadov
On the profile of interface states and series resistance in Sn/p-InP Schottky barrier diodes (SBD)
|
28 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
10. |
|
Hasanov E.R., Rasoul Nezhad Hossei
Instability in semiconductors with deep traps
|
31 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
11. |
|
М.И.Алиев, Д.Г.Араслы, Р.Н.Рагимов, А.А.Халилова, И.Х.Мамедов
Анализ решеточный теплопроводности твердых растворов Ga1-хInхAs
|
35 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
12. |
|
Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, К.Ш. Кахраманов
Морфология поверхности (0001) <примесь>.
|
38 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
13. |
|
М.М. Тагиев
Экструдированные материалы на основе твердых растворов Bi0.85Sb0.15, Bi0.5Sb1.5Te3 и Bi2Te2.7Se0.3
|
43 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
14. |
|
С.Н. Мустафаева, А.А. Исмаилов
Специфика ВАХ -облученных монокристаллов TlInS2.
|
52 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
15. |
|
А.М. Назаров, Н.В. Фараджев
Фоточувствительные p-n гомопереходы на основе эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe
|
55 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
16. |
|
М.Г. Кязумов
Индикатор – рефлексы
|
58 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
17. |
|
M.I.Eliyev, H.B.Ibrahimov, H.E.Hesenov
Tesirsiz muhitde izохrоn tеrmоdemlemenin mesаmeli silisiumun еlеktrik хаsselerine tesiri
|
66 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
18. |
|
H.R.Nuriyev, R.M.Sadiqov
Pb1-xMnxTe (Ga) epitaksial tebeqelerinin buyume xususiyyetlerinin elektrofiziki xasseleri ile elaqeli tedqiqi
|
71 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
19. |
|
И.Р.Нуриев, С.С.Фарзалиев, Х.Д.Джалилова
Структура и фотопроводимость эпитаксиальных пленок PbSe1-xTex.
|
74 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
20. |
|
О.Б.Абдинов, Ф.Т.Халил-заде, С.С.Рзаева
Влияние Хиггсовского поля на квантование электрического заряда в модели Вайнберга – Салама
|
76 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
21. |
|
R.F.Babayeva
Lantanoidlerle ashqarlanmish layli AIIIBVI kristallari esasindaki heterokecidlerde elektron proseslerinin xususiyyeteri
|
81 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
22. |
|
Б.А.Таиров, О. И. Ибрагимова
Выращивание монокристаллов твёрдых растворов висмут–сурьма, легированных оловом и теллуром
|
86 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
23. |
|
Г.Х. Аждаров, З.М. Захрабекова, М.А. Акперов, А.И. Алекперов, В.В. Мир-Багиров
Распределение компонентов в монокристаллах твёрдых растворов GaSb-InSb, выращенных методом Бриджмена
|
89 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
24. |
|
R.M.Sardarly, O.A.Samedov, A.P.Abdullayev, A.A.Bayramov, F.T.Salmanov, G.R.Safarova
Hopping conduction and Poole-Frenkel effect in TlGaTe2
|
91 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
25. |
|
Ш.О.Эминов
Химическое травление полярных плоскостей {111} InSb при подготовке к жидкостной эпитаксии
|
96 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
26. |
|
Ю.Г.Асадов, Ю.И.Алыев, А.Г.Бабаев, Ф.Г.Магеррамова, К.М.Джафаров
Полиморфные превращения в кристаллах Cu1,80-xAxTe (х=0; 0,05; 0,30, А=Zn, Cd)
|
101 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
27. |
|
З.М. Зейналов, С.О. Мамедова, З.М. Захрабекова, Г.Х.Аждаров
Математическое моделирование распределения примеси Al в монокристаллах Ge-Si, выращенных методом двойной подпитки расплава
|
106 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
28. |
|
Е.Р.Алиева, И.Я.Алиев, З.И.Сулейманов, А.С.Аббасов
Термодинамические свойства системы Cu2 Se - Sm2 Se3
|
109 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
29. |
|
Р.Г. Велиев, Э.М. Керимова, Р.З. Садыхов, Ю.Г. Асадов, А.И. Джаббаров
Рентгенографический анализ, магнитная восприимчивость и электропроводность TlСoS2, TlСoSe2
|
111 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
30. |
|
Н.А.Абдуллаев
Особенности механизма переноса заряда в слоистых кристаллах
|
115 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
31. |
|
Э.Д. Курбанов
Рентгеновское излучение быстрых электронов при высоковольтном наносекундном пробое воздуха повышенного давления
|
119 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
32. |
|
Y.R.Eliyeva, Z.I.Suleymanov, A.S.Abbasov, M.E.Alcanov
Cu5SmSe4 birleshmesinin istilik tutumu ve termodinamik funksiyalari
|
122 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
33. |
|
A.A. Хабибзаде, Т.Р. Мехтиев, А.М. Гашимов, Н.Р. Бабаева
Зависимость электрических и магнитных свойств оболочки частотнозависимого резистора от концентрации и размеров ферромагнитных гранул
|
124 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
34. |
|
Sh.M. Abbasov, B.A.Suleymanov, A.C.Mikailova
Distrubution of radionuclides in central regions of Azerbaijan
|
129 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
35. |
|
Г.И.Абуталыбов, А.А.Мамедов
Особенности спектроскопических свойств кристаллов
|
132 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
36. |
|
Б. А. Таиров, О. И. Ибрагимова, Э. Р. Юзбашев
Исследование валентной зоны сплава Bi0,84Sb0,16 легированным оловом
|
138 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
37. |
|
А.А Мамедов
Полупроводниковые кристаллы и стекол с редкоземельными активаторами
|
141 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
38. |
|
А.С. Гусейнова, М.А. Рамазанов
Влияние коронного разряда на электретные свойства полиолефинов, модифицированных добавками низкомолекулярных красителей
|
160 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
39. |
|
Kiymaz, B. Onal, M. Ozer and S. Acar
Investigation of series resistance and surface states in Au/n-GaP structures
|
162 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
40. |
|
А.А. Салманова
Нелинейное поглощение света в кристаллах InSe при лазерном возбуждении
|
164 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
41. |
|
H. Koralay, Sh. Cavdar and A. Gunen
-Irradiation effects on crystallization kinetics of Bi1.7V0.3Sr2Ca2Cu3Ox glass-ceramic
|
167 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
42. |
|
Г. И. Абуталыбов, С.З. Джафарова, Н.А. Рагимова
Частотные и температурные характеристики поглощения пьезоактивных волн в -GaSe
|
170 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
43. |
|
E. Koc, M. Civi, B.G. Salamov
Peculiarities of charge transport in a semiconductor gas discharge electronic devices
|
173 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
44. |
|
Mehmet Canturk, Erol Kurt
Eigenvalue solutions from a Josephson junction circuit as a model of a charge qubit
|
177 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
45. |
|
A.A. Довлатов
Исследование температурных свойств новых микропиксельных лавинных фотодиодов
|
180 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
46. |
|
Б.М.Рустамбеков, Ф.Х.Мамедов
Исследование зависимости энергий переходов И в соединениях методом электроотражения
|
183 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
47. |
|
Г.Н. Касимова
Анализ механизма разрушения полной хаотической синхронизации с помощью вейвлетного преобразования
|
185 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
48. |
|
М.А. Джафаров, Э.Н. Заманова, Г.Я. Гейдарзаде, И.Т. Поладова, Р.А.Гасанова
Фотоэлектрические свойства наноразмерных плёнок ZnS1-хSeх
|
187 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
49. |
|
Ш.М. Нагиев, С.И.Гулиева
Релятивистская квантовая частица в однородном поле
|
190 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
50. |
|
D. Korucu, T. Asar, B. Kinaci, U. Aydemir,T.S. Mammadov, S. Ozcelik
Series resistance effect on I-V characteristics of Au/n-InP Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 80-400K
|
195 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
51. |
|
C. Г.Aсадуллаева
Фотолюминесценция кристаллов ZnGa2Se4 и ZnGa2Se4: Мn
|
199 |
|
| |
|
|
|
|
|
| |
52. |
|
E.Sh. Haciyev
Yb(Sm)-As-S(Se,Te) sistemlerinde faza emelegelme, qurulush ve kristallashma kinetikasi
|
201 |
|
| |
|
|
|
|
|
