Home | Services | Contact Info |
Search:   
      Fizika, 2008,vol.XIV, 3

    Г.А.Ахмедова, Д.Ш.Абдинов Электрические свойства монокристаллов PbTe легированных таллием. 5  
           
    Q.M.Ahmadov, F.A.Axundova Tellurid ve selenid vismut asasinda alinmish Bi2Te2Se tabaqelerinin elektrofiziki xasseleri. 8  
           
    F.Q.Qasimov , A.O.Allahverdiyev Fossil Field modeli ve maqnitarlar. 10  
           
    Р.Г. Велиев, Р.З. Садыхов, Ф.М. Сеидов, Э.М.Керимова Диаграмма состояния систем TlInS2-TlFeS2, TlGaSe2-TlFeSe2 и магнитная восприимчивость TlFeS2, TlFeSe. 14  
           
    М.Г. Кязумов Влияние дефицита халькогенов на кристаллические структуры слоистых полупроводников. 17  
           
    Р.Г. Велиев Влияние магнитного фазового перехода на перенос заряда в слоистом ферримагнетике TlCoS2. 21  
           
    С.А. Абасов, М.А. Рамазанов, Х.С. Ибрагимова Влияние различных факторов на прочностные свойства композиций на основе полимеров и пьезокерамик. 25  
           
    З.М. Зейналов, С.М. Багирова, С.О. Мамедова, Г.Х. Аждаров О выращивание однородных монокристаллов твёрдых растворов Ge-Si модернизированным методом Бриджмена. 28  
           
    З.М.Зейналов, В.К. Кязимова, С.О. Мамедова, Г.Х.Аждаров Электрические свойства сложнолегированных кристаллов Ge-Si , подвергнутых термической обработке. 31  
           
    О.Б. Абдинов, Ф.Т. Халил-заде, С.С. Рзаева Суперсимметричная Su(2)xU(1)xU'(1) -модель и массы H, Z' –бозонов. 35  
           
    Э.Н.Заманова, М.А.Джафаров, С.М.Багирова, И.Т.Поладова, Р.А.Гасанова Магниточувствительные диоды на основе электросинтезированных плёнок CuSmS2. 38  
           
    R.A. Ismayilova, S.Z.Cafarova, C.Sh. Abdinov Bi2Te3 asasinda bezi uchqat berk mehlullarin istilikkechiriciliyi . 41  
           
    Р.Н.Рагимов Рентгеноструктурное и электронно-микроскопическое исследование системы GaSb-FeGa1.3 . 44  
           
    C.A. Зейналов, С.Д. Дамирова, Б. А.Таиров Гальваномагнитные и термоэлектрические эффекты в р-In0,5Ga0,5Sb, легированных Zn. 47  
           
    Э.А.Джафарова, З.А.Искендерзаде, М.Р.Aхундов, Э.С.Таптыгов, Ш.А.Алиханова, Л.А.Алиева, П.А.Аскерова Диэлектрические свойства пленок SiOx переменного состава и вольтфарадные характеристики МДМ И МДП структур на их основе. 52  
           
    O.R. Ehmedov, A.S. Abbasov, M.I. Agayev, M.A. Mahmudova GdS1,48, DyS1,48 birleshmelerin termo-E.H.Q. amsalinin tedqiqi 56  
           
    Э.Р. Гасанов, Rasoul Nezhad Hossein Излучение энергии примесного полупроводника во внешнем электрическом и магнитных полях. 58  
           
    Э.Ю. Салаев, И.Р. Нуриев, В.Я. Данчев, А.М. Назаров, Н.В. Фараджев Рост и структура пленок GaSe, GaTe, InSe 61  
           
    И.Р. Нуриев, М.Б. Гаджиев, Р.М. Садыгов Получение и исследование электрофизических свойств эпитаксиальных пленок Pb1-xMnxSe. 65  
           
    А.Ш.Абдинов, Ш.А.Аллахвердиев, Р.Ф.Бабаева, Р.М.Рзаев К вопросу об эффекте оптической утомляемости в легированных лантаноидами кристаллах p-GaSe. . 68  
           
    Э.Р. Гасанов, Ш.Г Ганбарова Интервал изменения за один период электрического поля при колебаниях тока в примесных полупроводниках во внешнем электрическом и магнитном полях. 70  
           
    Б.М. Рустамбеков, Ф.Х. Мамедов . Исследование поверхности теллурида кадмия-ртути методами электроотражения и Холла. 73  
           
    А.А. Исмаилов, Т.Б. Тагиев, Н.Д. Ахмедзаде, М.М. Ширинов, Ф.П. Абасов Влияние гамма и электронного облучений на вольтамперные характеристики монокристаллов селенида индия. 76  
           
    Зафар Кадыроглы, Д.Т. Гусейнов, Т.Г. Керимова, М.А. Алиев Фоточувствительная структура на основе соединения CdIn2S4. 78  
           
    Р.М. Сардарлы, О.А.Самедов, А.А.Байрамов, А.П. Aбдуллаев, Ф.Т. Салманов, А.И. Наджафов О возможности создания терагерцового генератора на сверхрешетках слоистых кристаллов А3В3С62. 80  
           
    N.A. Safarov, E.M. Rzazade, I.Q. Aliyev Heliostat sahali gunesh otoelektrik stansiyasinin umumi maya deyeri haqqinda. 85  
           
    H. Altundash, M. Kemal Ozturk, T.S.Mammadov and Suleyman Ozchelik Structural analysis of the AlxGa1-xAs/GaAs multi quantum well structure 88  
           
    З.Ф. Агаев, Г.З. Багиева, Дж.З. Нифталиева, Б.Ш. Бархалов Электрические свойства монокристаллов PbTe с избытком свинца. 92  
           
    М.А.Махмудова,А.С.Аббасов,М.И.Агаев, О.Р. Ахмедов Спектральная зависимость коэффициента отражения поликристаллов YbBi2Te4, YbBi4Se7 в интервале 1-6,5 eV. 95  
           
    Э.A. Исаева Информационный аспект измерения в квантовой физике. Эксперимент Шредингера. 97  
           
    Н.З. Гасанов, Э.М.Керимова Исследование влияния внедрения редкоземельных элементов на физические свойства слоистых полупроводников TlGaS(Se)2. 99  
           
    Ш.О. Эминов, Э.К. Гусейнов, А.А.Раджабли, Э.А. Мамедова Электрические свойства эпитаксиальных слоев и p-n-переходов из InSb, выращенных методом ЖФЭ 101  
           
    А.Ш. Абдинов, Н.М. Мехтиев, Р.Ф. Мехтиев, Г.И. Гарибов, В.Г. Сафаров Эффект переключения в пленках n-Cd1-хZnхS1-ySey . 107  
           
    И. Касумоглу, И.А. Мамедова, Г.С. Мехтиев, Д.Т. Гусейнов Влияние -облучения на проводимость в монокристаллах CuGaSe2. 109  
           
    Б.Г. Тагиев, С.А. Абушов. О.Б. Тагиев Фотолюминесценция кристаллов BaGa2Se4:Ce3+ и BaGa2Se4:Eu2+, Ce3+l. 112  
           
    А. Салман Манучер, К.З. Нуриев, З.К. Нурубейли, Э.Г. Тагиева, А.Г.Мамедбейли Влияние рекомбинации ионов в разлетающейся плазме на относительную чувствительность элементов в лазерной масс-спектрометрии . 116  
           
    Ю.Г.Асадов,Ф.Г.Магеррамова,Ю.И.Алыев,А.Г.Бабаев, Д.И.Исмаилов,А.Ю.Наджафов Расчет теплового расширения в кристаллах Cu2-x¬ZnyTe высокотемпературным рентгендифрактометрическим методом 121  
           
    Э. Ш. Гаджиев, А.И. Мададзаде, Д.И. Исмаилов Кинетика изотермической кристаллизации аморфных пленок Yb1-xSmxAs4Se7 . 128  
           
    N. Musayeva, S. Abdullayeva, C.Pelosi,G.Attolini,M.Bosi,B.Clerjaud, P. Benalloul, C. Barthou, R. Jabbarov, E. Gambarov Growth and characterization of GaAs1-xNx epitaxial layers 130  
           
    С.Д. Алекперов, С.П. Молчанов Получение карт локальной электропроводности матрицы pmma на Si с помощью метода атомно-силовой микроскопии. 134  
           
    H. Yucel Kurt, S. Karakose, B.G. Salamov Semiconductor gas discharge electronic devices: stability and current behavior. 137  
           
    M. Ozer, S. Acar Temperature dependent barrier height in Au/GaP Schottky barrier diodes . 141  
           
    Н.З.Джалилов, Н.М.Абдуллаев, Н.Р.Меммедов, Г.М. Аскеров. Спектры отражения кристаллов и пленок Bi2Te3-Bi2Sе3 и Bi2Te3-Bi2Sе3. 144  
           
    S.B.Kazimova,M.E.Eliyev,A.S.Hasanova Qadagan olunmush kecidler. 146  
           
    A.A. Bayramov, R.M. Sardarly Applications of plastic sensors. 149  
           
    A.A. Bayramov, N.A. Safarov, N.N. Mursaqulov, X.M. Mamedova Synthesis of quantum dots and mesoporouse of TiO for solar sells . 154  
           
    Б.Г. Тагиев,С.А. Абушов, О.Б. Тагиев Фотоэлектрические свойства монокристаллов InSe1-x Sx. 159  
           
    А.М.Пашаев, Б.Г.Тагиев, З.А.Ибрагимов, О.Б.Тагиев, С.А. Абушов, Ф.А.Казымова Спектр излучения, возбуждения и кинетика люминесценции кристаллов YbGa2S4:5%Er3+ 162  
           
    Е.Р. Алиева, З.И. Сулейманов., И. Я.,Алиев, С. Д. Абдуллаева,А.С. Аббасов Термодинамическое исследование системы Cr2S3 – Gd2S3. 166  
           
    Е.Р.Алиева,З.И.Сулейманов,И.Я. Алиев., К.А. Аскерова., Н.А. Алиева., А.С. Аббасов Исследование термодинамических свойств системы YbSe-Ga2Se3. 167  
           
    U.R.Hasanov, Yashar Azizian Kelendereg, M.B.Muradov, E.Sh.Abdinov, G.M.Eyvazova Polivinil spirti ve CdSe nanohissecikleri esasinda hazirlanmish kompozitlerin dielektrik xassalari. 169  
           
    А.И.Асваров, С.И.Ахмедова, Х.И.Новрузова Расширение остатков сверхновых. 172  
           
    А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, Р. И. Алекперов, Н. З. Джалилов Фотопроводимость халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Se95As5 , содержащие примеси редкоземельных атомов (Sm). 175  
           
    B. Sarikavak, M. Kemal Ozturk, T. S. Mammadov and S. Ozchelik Analyze of defects in InGaAs epilayer with high-resolution X-ray diffraction. 179  
           
    V.Ceferova, S.Hamidov, S.Schorr, H.Orucov, Z.Cahangirli, N. Memmedov Temel prinsiplerden TlSe ve TlInSe2 kristallari ucun hal tanliyi parametrlarinin tayini. 184  
           
    S. Hamidov, V. Jafarova, S. Schorr, G.Orudzhev, Z. Jahangirli, N. Mamedov Lattice dynamics of TlInSe2 studied by inelastic neutron scattering. 187  
           
    С.Н. Мустафаева Частотная дисперсия диэлектрических свойств монокристаллов (TlGaS2)1-x(TlInSe2)х. 189  
           
    Е.Р.Алиева, З.И.Сулейманов, И. Я.Алиев, А.А.Магеррамов, С.О.Искендеров, Э.М.Исламзаде, А.С.Аббасов Термодинамические свойства системы FeSe – SnSe. 192  
           
    Э.Н. Заманова, Л.А. Алиева Структура и оптические свойства пленок закиси меди p Cu2O, полученных низкотемпературным химическим осаждением 194  
           
    А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Р.И. Алекперов, Н.З. Джалилов Оптические константы тонких пленок халькогенидные стеклообразные полупроводников (ХСП ) системы Se95As5. 197  
           
    В.А. Осколонов Cтерические эффекты полимеров 201  
           
    С.И.Мехтиева, Г.К. Акберов, Я.Г.Акперов Особенности селеновых p-n переходов при наличии упругой деформации. 205  
           
    Т.Р. Мехтиев, Н.Р. Бабаева, А.М. Гашимов, A.A. Хабибзаде Электрические и магнитные свойства оболочки частотнозависимого резистора . 207  
           
           
© Copyright 2005 Institute of Physics. All Rights Reserved.